ГОСТ 20859.1-89
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Power semiconductor devices. General technical requirements
Основные сведения
ГОСТ 20859.1-89
ГОСТ 20859.1-89
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования
Регистрация в фонде
1056
24.04.1989
01.01.1990
-
Поисковые образы
31.080;29.200
преобразователи электроэнергии;применение в полупроводниковых преобразователях электроэнергии
Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений
Ссылочные данные
ГОСТ 20859.1-79
-
-
ГОСТ 30617-98 в части модулей
-
-
Сведения о разработчике
-
Минэлектротехпром СССР
Сведения о регистрации в МГС
-
-