ГОСТ Р 8.696-2010

ГОСТ Р 8.696-2010

ГОСТ Р 8.696-2010

Государственная система обеспечения единства измерений. Межплоскостные расстояния в кристаллах и распределение интенсивностей в дифракционных картинах. Методика выполнения измерений с помощью электронного дифрактометра

10-ст

10.02.2010

01.09.2010

-

17.040.01

нанокристаллы;тонкие пленки;межплоскостные расстояния в кристаллах;интенсивность токовых рефлексов;электронный дифрактометр;методика выполнения измерений

Настоящий стандарт устанавливает методику выполнения измерений межплоскостных расстояний в кристаллах, кристаллических тонких пленках и покрытиях, нанокристаллах и распределений интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных при дифракции пучка электронов на кристаллах с помощью электронного дифрактометра. Настоящий стандарт применяют для определения межплоскостных расстояний в кристаллах в диапазоне линейных размеров от 0,08 до 20,00 нм и распределения токовых интенсивностей рефлексов в дифракционных картинах, полученных от кристаллов в диапазоне от 10 в ст. минус14 до 10 в ст. минус 6 А. Настоящий стандарт не устанавливает методику определения типа элементарной решетки кристалла и индекса Миллера плоскостей кристалла, между которыми вычисляют расстояния

-

-

-

-

-

-

441 - Нанотехнологии

Открытое акционерное общество «Научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума»; Федеральное государственное учреждение «Российский научный центр «Курчатовский институт»; Государственное учреждение Российской академии наук «Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова»; Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Московский физико-технический институт (государственный университет)»

-

-