ГОСТ Р 71645-2024
Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей
Silicon is a semiconductor. Method of measuring the concentration of impurities
Основные сведения
ГОСТ Р 71645-2024
ГОСТ Р 71645-2024
Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей
Регистрация в фонде
1339-ст
01.10.2024
01.03.2025
-
Поисковые образы
29.045
кремний полупроводниковый, метод, концентрация примесей
Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемый и модернизируемый полупроводниковый кремний и устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод измерения концентрации примесей с возбуждением спектров разрядов с горячим полым катодом. Интервалы определяемых значений концентрации примесей приведены в приложении А. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний (ПИ), опытных образцов, стандартов на методы измерений, номенклатуру показателей системы показателей качества и технического уровня полупроводникового кремния
Ссылочные данные
-
-
-
-
-
-
Сведения о разработчике
303 - Электронная компонентная база, материалы и оборудование
Акционерное общество «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)
Сведения о регистрации в МГС
-
-