Официальный портал Росстандарта

ГОСТ Р 71645-2024

Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей

Silicon is a semiconductor. Method of measuring the concentration of impurities

Действует

Основные сведения

Обозначение

ГОСТ Р 71645-2024

Полное обозначение

ГОСТ Р 71645-2024

Заглавие на русском языке

Кремний полупроводниковый. Метод измерения концентрации примесей

Регистрация в фонде

Номер приказа

1339-ст

Дата приказа

01.10.2024

Дата введения в действие

01.03.2025

Дата введения в действие(примечание)

-

Поисковые образы

Код ОКС

29.045

Ключевые слова

кремний полупроводниковый, метод, концентрация примесей

Область применения

Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемый и модернизируемый полупроводниковый кремний и устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод измерения концентрации примесей с возбуждением спектров разрядов с горячим полым катодом. Интервалы определяемых значений концентрации примесей приведены в приложении А. Стандарт следует применять для выбора параметров при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы, программ испытаний (ПИ), опытных образцов, стандартов на методы измерений, номенклатуру показателей системы показателей качества и технического уровня полупроводникового кремния

Ссылочные данные

Обозначение заменяемого(ых)

-

Обозначение заменяющего

-

Обозначение заменяемого в части

-

Обозначение заменяющего в части

-

Отменен в части

-

На территории РФ пользоваться

-

Сведения о разработчике

Технический комитет

303 - Электронная компонентная база, материалы и оборудование

Организация - Разработчик

Акционерное общество «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»)

Сведения о регистрации в МГС

Номер протокола МГС

-

Дата принятия в МГС

-