ГОСТ 20398.9-80
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
Field-effect transistors. Forward fransconductance inpulse measurement technique
Основные сведения
ГОСТ 20398.9-80
ГОСТ 20398.9-80
Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме
Регистрация в фонде
5805
12.12.1980
01.01.1982
-
Поисковые образы
31.080.30
-
Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы средней и большой мощности и на СВЧ полевые транзисторы малой мощности с начальным током стока более 15 мА и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S в импульсном режиме
Ссылочные данные
-
-
-
-
-
-
Сведения о разработчике
303 - Электронная компонентная база, материалы и оборудование
-
Сведения о регистрации в МГС
-
-